Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE
Товара не оказалось в наличии?
Подпишитесь на уведомление о поступлении!
Подпишитесь на уведомление о поступлении!
b03fa20e31e7cc0d1e01fab20974ea6b
Описание
Память M386A8K40DM2-CWE от Samsung
RAS to CAS Delay (tRCD)
-
GTIN
00000000000000
высота(см)
0.2
Тайминги
22
Тип оборудования
Оперативная память
gtdNumber
10005030/121022/3276015
Чип
-
Частота (MHz)
DDR3 - 3200
Поддержка Reg
Есть
Activate to Precharge Delay (tRAS)
-
Нормальная операционная температура (Tcase)
75 °C
Общий объем памяти (ГБ)
64
Количество чипов на модуле
-
Габариты (мм)
-
масса(кг)
0.09
Расширенная операционная температура (Tcase)
85 °C
rusName
[Модуль памяти] Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE
Потребление энергии
-
Линейка
Нет
сайт производителя
http://www.samsung.com/
Пропускная способность (МБ/с)
25600
Производитель
Samsung
Вес (грамм)
-
Количество модулей в комплекте (шт)
1
гарантия
1 год
ширина(см)
3
Высота (мм)
-
Поддержка ECC
Есть
Поддержка водяного охлаждения
Нет
CAS Latency (CL)
22
Тип модуля
DIMM
Радиатор
Нет
Низкопрофильная
Нет
Количество контактов
288
Подсветка
Нет
Производитель
Samsung
длина(см)
13
Row Precharge Delay (tRP)
-
Дополнительная информация
-
описание
Память M386A8K40DM2-CWE от Samsung
Модель
M386A8K40DM2-CWE
Объем одного модуля (ГБ)
64
manufacturerCountry
КОРЕЯ, РЕСПУБЛИКА
название
Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE
Напряжение (В)
1.2
2014-2025 © Radiostuff.ru — Комплексные решения для сетевого оборудования
Информационные страницы
Контакты
+7 (812) 424-33-95
Бесплатный звонок по РФ
+7 (800) 302-90-20
Офис в Санкт-Петербурге
г. Санкт-Петербург, ул. Заозерная д. 4